Micron Document
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Borphosphid
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Borphosphid (BP) ist ein III-V-Verbindungshalbleiter in Zinkblende-Struktur bestehend aus den beiden Elementen Bor und Phosphor und wurde 1891 synthetisiert.cite-ref-popp1-4-0[4]cite-ref-moissan-5-0[5]

Contents

• Gewinnung und Darstellung
• Eigenschaften
• Verwendung
• Einzelnachweise

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Gewinnung und Darstellung

Borphosphid kann aus den Elementen bei Drücken und Temperaturen über 20 kbar und 1200 °C synthetisiert werden. Kristalle von Borphosphid können weiterhin unter Verwendung von Mischungen von Bor, Phosphor und Bortrioxid, Bor und Borphosphat und Bor und Phosphorpentoxid synthetisiert werden.cite-ref-doi10-1016-0022-0248-73-90038-9-6-0[6]

Eigenschaften

Das Halbleitermaterial weist einem Bandabstand von 2,1 eV bei 300 K auf.cite-ref-madelung-7-0[7] Hochreines Borphosphid ist optisch transparent. n-dotiertes Borphosphid weist eine orange-rote Farbe auf, p-dotiertes Borphosphid ist dunkelrotbraun.cite-ref-berger-2-1[2]

Verwendung

Borphosphid wird unter anderem als Werkstoff in speziellen Leuchtdioden (LEDs) eingesetzt.cite-ref-udagawa-8-0[8]

Einzelnachweise

cite-note-lax-11. Jean d'Ans, Ellen Lax, Roger Blachnik: Taschenbuch für Chemiker und Physiker. Springer, 1998, ISBN 3-642-58842-5, S. 320 (eingeschränkte Vorschau in der Google-Buchsuche).
cite-note-berger-22. L.I. Berger: Semiconductor Materials. CRC Press, 1996, ISBN 978-0-8493-8912-2, S. 116 (englisch).
cite-note-nv-32. Dieser Stoff wurde in Bezug auf seine Gefährlichkeit entweder noch nicht eingestuft oder eine verlässliche und zitierfähige Quelle hierzu wurde noch nicht gefunden.
cite-note-popp1-44. ↑ P. Popper, T. A. Ingles: Boron Phosphide, a III–V Compound of Zinc-Blende Structure. In: Nature. 179, 1957, S. 1075–1075, doi:10.1038/1791075a0.
cite-note-moissan-55. ↑ H. Moissan: Préparation et Propriétés des Phosphures de Bore. In: Comptes Rendus. 113. Jahrgang, 1891, S. 726–729 (französisch, bnf.fr).
cite-note-doi10-1016-0022-0248-73-90038-9-66. ↑ K. P. Ananthanarayanan, C. Mohanty, P. J. Gielisse: Synthesis of single crystal boron phosphide. In: Journal of Crystal Growth. 20, 1973, S. 63–67, doi:10.1016/0022-0248(73)90038-9.
cite-note-madelung-77. ↑ O. Madelung: Semiconductors: Data Handbook. Birkhäuser, 2004, ISBN 978-3-540-40488-0, S. 84–86 (englisch).
cite-note-udagawa-88. ↑ Patent US6809346: Boron phosphide-based semiconductor light-emitting device, production method thereof, and light-emitting diode. Angemeldet am 9. März 2004, veröffentlicht am 26. Oktober 2004, Erfinder: Takashi Udagawa.‌

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